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碳化硅生产线需要什么设备

碳化硅生产线需要什么设备

2023-04-19T08:04:55+00:00

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备

2023年4月26日碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化未来智库未来智库，智造未来！（报告出品方/作者：国泰君安证券，徐乔威、李启文） 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 2023年7月17日大尺寸趋势背后的核心为降本。硅片尺寸越大，单硅片所能生产的芯片数量越多，进而带来单位芯片生产成本的降低。据沪硅产业公司公告，同样工艺条件下，12 晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造

国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备模拟

2023年4月25日 EMC/EMI设计电源/新能源测量仪表制造/封装 RF/无线接口/总线/驱动 EDA/IC设计光电显示连接器 PCB设计 LEDs 汽车电子医疗电子人工智能可穿戴设备 2022年12月1日碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望成为未来制作半导体芯片的主要材料之一。为了确保SiC器件的优质应用，本文将详细介绍SiC器件制造中的离子注入工艺和激活退火一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 ROHM技术社

我想了解一下碳化硅的生产工艺？知乎

2021年12月24日第三代半导体，以碳化硅为代表，其具有禁带宽度大，击穿电场高，饱和电子漂移速度高，导热率大等特点，特别是在1200V的高压环境中，有着明显的优势。 SIC晶体具有与GaN材料高匹配的晶格常数 2023年1月17日以清洗药剂和纯水对碳化硅抛光片进行清洗处理，去除抛光片上残留的抛光液等表面沾污物，再通过超高纯氮气和甩干机将晶片吹干、甩干；将晶片在超净室封装【SiC 碳化硅加工工艺流程】知乎

碳化硅加工设备

2023年11月23日碳化硅加工设备组成：碳化硅加工设备全套配置包括锤式破碎机、斗式提升机、储料仓、震动给料机、微粉磨主机、变频分级机、双联旋风集粉器、脉冲除尘系统、高压风机、空气压缩机、电器控制系统 2020年6月16日半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比知乎

晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造

2023年7月17日设备先行、受益大尺寸需求扩张半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外 2020年12月2日碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。我国SiC外延材料研发工作开发于“ 技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎

2021年8月16日除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 2022年9月6日碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，根据科锐和应用材料公司官网数据显示，相较于硅基功率器件，碳化硅基MOSFET尺寸可以减少为同电压硅基MOSFET的十分之一，能量损耗可以减少为同开关频率硅基IGBT的30%。 SiC功率器件下游碳化硅：核心优势、产业链及相关公司深度梳理【慧博出品】

碳化硅产业链最全分析知乎

2021年12月5日本文首发自公众号：价值盐选今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链这个碳化硅是第三代半导体材料，第 2019年9月5日第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

2023年5月21日国内主要设备厂家包括中国电子科技集团公司第四十五研究所、唐山晶玉和湖南宇晶等，国产设备在切割效率、加工精度、可靠性和工艺成套性等方面与国外设备有一定差距，100～150mmSiC晶体切割设备线速度水平只能达到2023年6月30日士兰微也是采用IDM模式，旗下士兰明镓在去年已实施“碳化硅功率器件芯片生产线”项目的建设，去年10月，士兰微筹划非公开发行募资65亿元，募投碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网

揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅

2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 2023年3月31日碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道【科普】一文带你了解碳化硅的产业链结构及应用领域

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产

2022年3月2日 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材料是制作半导体器件和集成电路的电子材料。核心分为以下三 2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托国家及省市科技项目，持之以恒开展碳化硅高端装备设计及晶体材料研究。打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备和产品

碳化硅器件发展方向与面临的三大难题腾讯网

2023年3月20日出于与汽车相同的原因，碳化硅已经开始在能源行业找到自己的位置，并可能在未来十年内进入大功率工业应用。然而，这并不是碳化硅故事的结局。随着特斯拉宣布在其未来的动力总成中减少碳化硅，市场价值和技术都可能根据原始设备制造商的选择而改变。2021年7月21日今年发布的“‘十四五’规划和2035年远景目标纲要”提出，我国将加速推动以碳化硅、氮化镓为代表的第三代半导体新材料新技术产业化进程，催生一批高速成长的新材料企业。科技日报记者7月18日对业内专家进行采访时发现，他们对我国第三代半导体的发展碳化硅，第三代半导体时代的中国机会

中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总知乎

2023年5月8日碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公司等。国内碳化硅产业起步较晚。衬底方面，科锐和II 2020年10月19日在碳化硅器件的技术水平上，国内企业相对集中于基础二极管及中低压器件等低端领域，在对器件性能、可靠性要求较高的高端产品市场渗透率相对较低。高压器件方面的国产化，最近也开始出现一些好消息。比如：泰科天润的碳化硅肖特基二极管、碳化小议碳化硅的国产化知乎

国内第三代半导体厂商（碳化硅）知乎

2019年2月22日 2018年11月13日，天岳碳化硅材料项目开工活动在长沙浏阳高新区举行，该项目的落实标志着国内较大的第三代半导体碳化硅材料项目及成套工艺生产线正式开建。据悉，天岳碳化硅材料项目由山东天岳晶体材料有限公司开发建设，总投资30亿元，项目分 2023年4月25日因此，产业上需要将Si基功率器件生产线转换成SiC器件生产线，往往只需要增加一些专用设备就可以完成生产线设备平台的转型。各工艺环节关键设备如表1所示。表1 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备 13 SiC工艺及装备挑战国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备模拟

碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追腾讯网

2023年6月28日碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追中国新能源汽车需求旺盛，带动了国产第三代半导体的发展，能效更高的碳化硅功率器件供不应求。瞅准未来两三年短缺的“窗口期”，国内碳化硅（SiC）产业，尤其是8英寸碳化硅产业链，驶入了发展 2021年7月21日碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

2020年12月8日 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等 2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备

碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

2022年3月22日切片机：碳化硅的切割和传统硅的切割方式相似，但因为碳化硅属于硬质材料（莫氏硬度达 95，除金刚石以外世界上第二硬的材料），切割难度 2023年4月17日切片是碳化硅单晶加工过程的道工序，决定了后续薄化、抛光的加工水平，是整个环节的较大产能瓶颈所在。现有的碳化硅晶圆切片大多使用金刚石线锯，但碳化硅硬度高，需要大量的金刚石线锯和长达数小时的加工时间，且切片过程中多达 40%的晶锭以碳化硅粉尘的形式成为废料，单个晶锭碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星知乎

产业丨国产碳化硅模块的突破和加速腾讯新闻

斯达半导体投资229亿元建设车规级全碳化硅功率模组生产线和研发测试中心，计划产能达8万颗/年。国星光电研究院基于碳化硅技术，全新推出NS62m碳化硅MOSFET功率模块产品，可应用于传统工控、储能逆变、UPS、充电桩、轨道交通和其他功率变换领域。2021年7月12日 2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。天域是中国家获得汽车质量认证（IATF16949）的碳化硅半导体材料供应链企业。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉CVD，月产能5000件。凭着最先进的外延能力和最哈勃投的第四家碳化硅企业，为什么选择做SiC外延的它？知乎

盘点国内SiC碳化硅衬底与外延片公司（附碳化硅投资逻辑

2023年11月29日国内主要SiC碳化硅衬底企业汇总 1、山东天岳先进科技股份有限公司（）公司成立于 2010 年，主营业务是宽禁带半导体（第三代半导体）碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，产品可应用于微波电子、电力电子等领域。碳化硅半导体材料项目计划于 2026 年 2022年1月4日 12月30日，基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行，首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内条汽车级碳化硅功率模块专用产线，采用先进碳化硅专用封装工艺技术，打造高端数字化智能工厂。该基地将于2022年3月进行小批量试生产，年中实现量产交付国内首条！基本半导体汽车级碳化硅功率模块专用产线正式通

碳化硅 SiC 知乎

2023年1月2日单晶生长环境要求高：单晶生长对温度和压力的要求苛刻，一般而言，碳化硅气相生长温度在 2000℃ ~2500℃之间，而传统硅材仅需 1600℃左右，碳化硅单晶对设备和工艺控制带来了极高的要求，温度和 2021年3月18日 3月17日，中国电子科技集团有限公司集团旗下装备子集团，已成功实现离子注入机全谱系产品国产化，可为全球芯片制造企业提供离子注入机一站式解决方案。碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备，如高温离子注入机、碳膜 SiC芯片制造关键设备再突破！离子注入机产品国产化碳化硅

调研｜露笑科技布局碳化硅进展：首批50台长晶炉已全部投产

2021年11月17日 “目前部分8英寸设备短缺，如高温等离子设备。叠加8寸厂需要1年半的订货周期，预计未来3年内8英寸和6英寸不会形成致命的竞争关系。”业内知名半导体产业人士坦言。国内碳化硅功率晶圆产线方面，露笑科技相关负责人透露称，2020年合计有20条。2020年8月14日所以加工起来也是较为困难的吧。前不久我们厂里接到了好几个加工碳化硅陶瓷的单子，加工起来特别难，还碎了一地都是，然后我们实在是没有办法了，就把单子给了钧杰陶瓷他们去加工了，前段时间我们老板去他们那里参观了一下机床设备，说他们的设有没有能加工碳化硅陶瓷的加工厂？知乎

[初探半导体产业]一文搞懂"衬底"“外延”的区别和联系知乎

2022年8月12日就第三代半导体器件而言，这类半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底。SiC外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数直接决定着SiC器件的各项电学性能。高电压应用的碳化硅器件对于外延材料的厚度、背景载流子浓度等参数提出新的要 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC）知乎

国产碳化硅进击8英寸工艺节点最佳“掘金”窗口期步入倒计时

2023年6月28日盛美上海并在今年3月份盛美上海宣布首次获得Ultra C SiC碳化硅衬底清洗设备的采购订单，该设备兼容6英寸和8英寸，每小时可达70多片晶圆的产能，可 2023年3月26日而国外对碳化硅高端设备及产品进行技术封锁，碳化硅衬底的产能缺口巨大。为推动我国第三代半导体装备及材料产业链自主可控，哈尔滨工业大学教授赵丽丽于2018年带领技术团队成立科友半导体，依托国家及省市科技项目，持之以恒开展碳化硅高端装备设计及晶体材料研究。打造第三代半导体碳化硅材料全产业链科友关键装备和产品

预见2022：《2022年中国碳化硅行业全景图谱》(附市场规模

2022年7月17日碳化硅（SiC）行业分析报告：碳化硅(SiC)是一种无机物，其是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。目前已发现的SiC同质异型晶体结构有200多种，其中六方结构的4H型SiC(4HSiC)具有高临界 2023年7月14日集微网报道（文/陈炳欣）近日，碳化硅厂商掀起一轮8英寸晶圆投资热潮。除碳化硅龙头Wolfspeed位于美国纽约州的8英寸晶圆厂实现小批量供货外，英飞凌、意法半导体、三星、三菱电机以及部分国内厂商，也纷纷宣布投入8英寸碳化硅生产线的建设。碳化硅8英寸时代临近，中国厂商不应错过“早班车” 腾讯网

半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比知乎

2020年6月16日半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但 2023年7月17日设备先行、受益大尺寸需求扩张半导体硅片核心设备包括：长晶、切片、研磨、抛光、外延设备等。半导体硅片生产工序流程与光伏硅片相似，但不同之处在于： 1）光伏长晶炉在整线中价值量占比超过 80%，而半导体硅片设备中单晶炉、切磨抛设备、外晶盛机电:迈向半导体+碳化硅设备龙头,设备+零部件布局铸造

技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

2020年12月2日碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。我国SiC外延材料研发工作开发于“ 2021年8月16日除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎

碳化硅：核心优势、产业链及相关公司深度梳理【慧博出品】

2022年9月6日碳化硅功率器件具有高电压、大电流、高温、高频率、低损耗等独特优势，根据科锐和应用材料公司官网数据显示，相较于硅基功率器件，碳化硅基MOSFET尺寸可以减少为同电压硅基MOSFET的十分之一，能量损耗可以减少为同开关频率硅基IGBT的30%。 SiC功率器件下游 2021年12月5日本文首发自公众号：价值盐选今天我们分析一下半导体产业链，这条产业链分为很多环节，比如材料、设备、芯片设计、芯片制造、封装测试。我们先来分析其中一种材料，叫做碳化硅 SiC。 01 SiC 基本情况及产业链这个碳化硅是第三代半导体材料，第碳化硅产业链最全分析知乎

第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

2019年9月5日第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇代半导体材料：锗、硅等单晶半导体材料，硅拥有11eV的禁带宽度以及氧化后非常稳定的特性。第二代半导体材料：砷化镓、锑化铟等化合物半导体材料，砷化镓拥有14电子伏特的禁带宽度以及比硅高五倍的电子 2023年5月21日国内主要设备厂家包括中国电子科技集团公司第四十五研究所、唐山晶玉和湖南宇晶等，国产设备在切割效率、加工精度、可靠性和工艺成套性等方面与国外设备有一定差距，100～150mmSiC晶体切割设备线速度水平只能达到造一颗SiC芯片，需要哪些关键设备？工艺碳化硅中国

碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代碳化硅新浪财经新浪网

2023年6月30日士兰微也是采用IDM模式，旗下士兰明镓在去年已实施“碳化硅功率器件芯片生产线”项目的建设，去年10月，士兰微筹划非公开发行募资65亿元，募投 2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅