炭化硅生产设备

首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有

2020年10月21日我国是碳化硅较大的应用市场，占据全球近一半的使用量，但是我国的碳化硅产业还很不完善，国内从事碳化硅材料及器件研发制造的多为高校和科研院所，缺乏产业化能力，不过近两年来国内已有少数 3 天之前碳化硅器件制造则与设备国产化进程息息相关，设备需求主要包括高温离子注入机、高温退火炉、SiC减薄设备、背面金属沉积设备、背面激光退火设备、SiC衬底和外延疯狂的碳化硅，国内狂追！全球半导体观察丨DRAMeXchange

产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻

2022年12月15日大族激光在近期指出，公司应用于第三代半导体的SiC晶锭激光切片机、SiC超薄晶圆激光切片机正在客户处做量产验证。 11月，宇晶股份在接受机构调研时 2021年7月21日虽然碳化硅在电动汽车上的应用才刚刚起步，但每生产一辆电动汽车，至少要消耗一片碳化硅，按照我国电动汽车保有量每年增长70%的速度来看，碳化硅仅在电碳化硅，第三代半导体时代的中国机会国家自然科学基金

行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

2023年2月26日碳化硅:大功率、高频、低损耗功率器件的最佳材料 3 11、驱动因素一:车 2023年2月27日碳化硅产业资本开支加速，供应链安全可控助力国产碳化硅设备厂商突围碳化硅晶圆和器件的制备基本工艺流程同硅基半导体基本一致，但部分工艺段使用专用机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速

关于优晶碳化硅设备研发、生产、销售企业苏州优晶半导体

苏州优晶半导体科技股份有限公司是一家专注于大尺寸（6英寸及以上）导电型碳化硅晶体生长设备研发、生产及销售的高新技术企业。公司自2014年开始研发电阻法碳化硅生长设 2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺

碳化硅“风起”：海外巨头忙扩产能、国内产业链急追腾讯网

2023年6月28日国产设备也在突进。据纳设智能CEO陈炳安介绍，碳化硅外延生产成本约占碳化硅器件总体成本的23%。现阶段，碳化硅外延的制备方法主要以化学气相沉积（CVD）为主，纳设智能开发了自主创新的碳化硅外延CVD设备，该设备的耗材成本、维护频率都较低。2022年3月2日碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有望突破 1 SiC 碳化硅：产业化黄金时代已来；衬底为产业链核心 11 SiC 特点：第三代半导体之星，高压、高功率应用场景下性能优越半导体材碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产

碳化硅百度百科

2023年5月4日碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅是一种半导体，在自然界中以极其罕见的矿物莫桑石的形式存在。自1893年以来已经被大规模生产为粉末和晶体，用作磨料等。2022年3月22日掌握了碳化硅晶片生产的“设备研制—原料合成—晶体生长—晶体切割—晶片加工—清洗检测”全流程关键技术和工艺。2020 年 8 月 17，公司碳化硅碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有

碳化硅产品的应用方向和生产过程知乎

2022年3月7日来源：《拆解PVT生长碳化硅的技术点》工艺的不同导致碳化硅长晶环节相比硅基而言主要有两大劣势。生产难度大，良率较低。碳化硅气相生长的温度在2300℃以上，压力350MPa，全程暗箱进行，易混入杂质，良率低于硅基，直径越大，良率越低。2023年12月5日碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电型、半绝缘型。导电型衬底可用于生长碳化硅外延片，制成耐高温、耐高压的碳化硅二极管、碳化硅MOSFET等功率器件，应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解；知乎

半导体制造之设备篇：国产、进口设备大对比知乎

2020年6月16日半导体制造之设备篇半导体需要的设备比较繁杂，在晶圆制造中，由于光刻、刻蚀、沉积等流程在芯片生产过程中需要20到50次的反复制作，是芯片前端加工过程的三大核心技术，其设备价值也最高，但半导体制造设备远远不止这些，本文将一一比较国产化 2020年12月8日 01 切割切割是将SiC晶棒沿着一定的方向切割成晶体薄片的过程。将SiC晶棒切割成翘曲度小、厚度均匀、低切损的晶片，对于后续的研磨和抛光至关重要。与传统的内圆、外圆切割相比，多线切割具有大切削速度、高加工精度、高效率和较长的寿命等工艺详解碳化硅晶片的工艺流程知乎

第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展知乎

2021年6月11日本文详细论述了第三代半导体材料碳化硅 (SiC)的生产方法、研究进展和产业化现状，提出了未来努力的方向和解决的方案，并展望了其未来的发展趋势和应用前景。同代半导体材料硅 (Si)、锗 (Ge)和第二代半导体材料砷化镓 (GaAs)、磷化液 (InP)相 2021年7月21日碳化硅，第三代半导体时代的中国机会5G通信、电动汽车等新兴产业对碳化硅材料将产生巨大需求，大力发展碳化硅产业，可引领带动原材料与设备两个千亿级产业，助力我国加快向高端材料、高端设备制造业转型发展的步伐。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会新华网

第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代知乎

2021年8月16日碳化硅器件产业链主要由上游衬底材料及外延、中游器件制造、下游应用，以及各环节所用设备构成。目前产业的参与者主要以两类海外厂商为主： 1、传统功率半导体龙头：英飞凌（欧洲）、意法半导 2023年1月17日碳化硅晶片是以高纯硅粉和高纯碳粉作为原材料，采用物理气相传输法（PVT）生长碳化硅晶体，加工制成碳化硅晶片。 ①原料合成。将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合，在 2,000℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒。【SiC 碳化硅加工工艺流程】知乎

揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道芯片碳化硅

2021年7月3日揭秘第三代芯片材料碳化硅国产替代黄金赛道硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料，90% 以上的半导体产品是以硅为原材料制成的 2023年4月25日因此，产业上需要将Si基功率器件生产线转换成SiC器件生产线，往往只需要增加一些专用设备就可以完成生产线设备平台的转型。各工艺环节关键设备如表1所示。表1 碳化硅器件生产各工艺环节关键设备 13 SiC工艺及装备挑战国内外碳化硅装备发展状况 SiC产业环节及关键装备模拟

技术碳化硅产业链条核心：外延技术知乎

2020年12月2日技术碳化硅产业链条核心：外延技术碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且 2022年8月25日全球的器件制造商正在加强碳化硅（SiC）的制造，增长将在2024年开始真正起飞。自特斯拉和意法半导体在Model 3中使用碳化硅以来，已经过去了近五年时间。现在，没有人怀疑电动汽车的市场拉动力，但消费者仍然在吵着要更好的续航能力和更快的充电。SiC发展神速设备XFab碳化硅

碳化硅 ~ 制备难点知乎

2023年3月13日晶体制备由于物理的特性，碳化硅材料拥有很高的硬度，目前仅次于金刚石，因此在生产上势必要在高温与高压的条件下才能生产。以PVT法为例，碳化硅晶体制备面临以下困难：温场控制困难、生产速度缓慢：以目前的主流制备方法物理气相传输 2021年7月21日碳化硅晶体的生长过程就如同“蒙眼绣花”一样，因为温度太高，难以进行人工干预，所以晶体的生长过程十分容易遭到扰动，而如何在苛刻的生长条件下稳定生长环境，恰恰是晶体生长最核心的技术。要想生产出高质量的碳化硅晶片，就必须攻克这些技术难关。碳化硅，第三代半导体时代的中国机会

碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速

2023年4月26日碳化硅设备行业深度报告：多技术并行，衬底切片设备加速国产化 1 碳化硅高性能+低损耗，产业化受制于衬底产能 11 半导体材料更迭四代，宽禁带材料突破瓶颈在高性能和低能耗半导体器件驱动下，半导体材料经历四次更迭。半导体材料是制造半导体 2023年11月12日虽然碳化硅产能扩建一片红红火火，但想要大规模起量乃至获得高额收益，至少要等到2025年以后了，如今都不过是在烧钱布局罢了，最先从中受益的反而是设备厂商，由于碳化硅的扩建扩产，相关设备市场皆呈现供不应求的状态，Insemi预计2025年碳化 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇产能

1碳化硅加工工艺流程图豆丁网

2020年9月9日一般使用低纯度的碳化硅，以降低成本。同时还可以作为制造四氯化硅的原料。四、碳化硅产品加工工艺流程1、制砂生产线设备组成制砂生产线由颚式破碎机、对辊破碎机、球磨机、清吹机、磁选机、振动筛和皮带机等设备组合而成。2023年1月4日制作碳化硅器件的大部分设备与传统硅的生产设备相同，但由于碳化硅材料硬度高、熔点高等特性，需要一些特殊的生产设备与工艺。 SiC所需的特定设备包括高温退火炉、高温离子注入机、SiC减薄设备、第三代半导体SiC产业链及市场应用研究碳化硅材料

A股独占鳌头的9只碳化硅龙头：半导体的核心科技知乎

2021年1月12日碳化硅业务龙头 6月26日，露笑科技发布公告称，露笑半导体研发的碳化硅衬底片已送样检测通过，目前正在积极向下游客户进行送样；合肥露笑半导体一期生产用设备的安装调试工作已经完成，并准备近期投产。目前，露笑科技总市值为233亿。2023年6月28日此外，晶盛机电最新还宣布研发出具有国际先进水平的8英寸单片式碳化硅外延生长设备，可兼容6、8寸碳化硅外延生产。即便碳化硅产业当前主流仍国产碳化硅进击8英寸工艺节点最佳“掘金”窗口期步入倒计时

小议碳化硅的国产化知乎

2020年10月19日设备方面：碳化硅生产的高端设备，基本掌握在欧美手中。国内核心设备正在加紧国产化。但检测设备与国内其他行业的同类产品一样，是非常大的短板。笔者认为，第三代半导体的国产化比第二代半导体要稍微乐观一些 2019年7月25日 2、碳化硅有什么用？以SiC为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。碳化硅作为第三代半导体材料的典型代表，也是目前晶体生产技术和器件制造水平最成熟，应用最广泛的宽禁带半导体材料之一，目前在已经形成了全球的材料、器件和应用三了解第三代半导体材料：碳化硅（SiC）知乎

碳化硅行业发展现状如何？一文读懂碳化硅产量、良率及进出口

2022年9月6日四、碳化硅产业现状 1、中国碳化硅产量分为黑碳化硅和绿碳化硅，2020年中国黑碳化硅产量为75万吨，绿碳化硅产量为105万吨，2021年中国黑碳化硅产量为90万吨，绿碳化硅为11万吨，产量相继上涨。说明我国碳化硅行业发展前景及需求量较为良好。 20202021年 2023年2月26日《工业母机、碳化硅设备国产化再迎利好—行业周报》2023212 《制造业基础核心部件、底层软件高端自主化战略意义提升—行业点评报告》202327 证关注碳化硅设备国产化突破和加速 ——行业周报孟鹏飞（分析师）熊亚威（分析师）行业研机械设备关注碳化硅设备国产化突破和加速究 2023

什么是负极材料预碳化设备如何进行预碳化知乎

2023年3月3日负极材料生产过程中，负极材料需要经过1000°以上高温的碳化处理，这个可能大家都知道的比较多的，但是我们有一些用户也需要使用我们的预碳化设备，对负极材料进行预碳化处理，预碳化处理并不需要特别高的温度。一般在700°以下就可以满足要求。北 2024年1月17日受益于碳化硅下游市场需求逐步放大，国内多个碳化硅外延项目发布了扩产和新建开工的计划：一代工艺一代设备，外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%，SiC外延炉是第三代半导体 SiC器件制造的核心装备之一。下游市场的飞速增长，不断的扩产需求浅析国产碳化硅外延炉设备知乎

揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道澎湃号湃客

2021年7月5日揭秘第三代芯片材料碳化硅，国产替代黄金赛道碳化硅，第三代半导体时代的中国机会。硅是目前制造芯片和半导体器件最广泛的原材料， 90%以上的半导体产品是以硅为原材料制成的。然而受材料本身特性的限制，硅基功率器件已经渐渐难以满足 5G 基站 2022年3月18日碳化硅衬底第三方设备厂商较少，企业更多为设备+制造一体化布局为主，便于将核心工艺机密掌握自己手里。设备+工艺联合研发、形成互哺是关键。同时受益新能源车爆发，SiC产业化黄金时代将来临。A股的碳化硅龙头是哪家? 知乎

【全网最全】 2022年中国碳化硅行业上市公司全方位对比(附

2022年7月11日 1、碳化硅产业上市公司汇总碳化硅行业在产业链中处于中上游环节，下游主要服务于新能源汽车、5G通信等行业，以满足产业需求。在碳化硅芯片制造环节，天岳先进是碳化硅行业的主要企业之一，围绕碳化硅衬底进行垂直深入的研究与生产。注：5颗星为 2023年4月21日报告指出，近年来，中国半导体企业在开发和生产碳化硅半导体产品方面取得了重大进展，且应用范围广泛，这包括了汽车行业。SiC市场“蓄势待发” 业内普遍认为，碳化硅功率器件在新能源汽车领域具有显著的性能等优势，在主逆变器里 SiC市场“蓄势待发”，哪些装备耗材还在被卡脖子？

碳化硅衬底市场群雄逐鹿碳化硅衬底制备环节流程知乎

2023年3月28日碳化硅按衬底制备方式以及面向的下游应用分可为两种类型。一种是通过生长碳化硅同质外延，下游用于新能源汽车、光伏、工控、轨交等功率领域的导电型衬底，外延层上制造各类功率器件；另一种是通过生长氮化镓异质外延，下游应用于5G通讯、国防等射频领域的半绝缘型衬底，主要用于制造 2019年9月5日碳化硅功率器件生产过程衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇知乎

碳化硅晶片:电动汽车和5G通信的强大心脏————要闻

2020年6月8日这么高的功率，用碳化硅替代硅做射频器件，就可以让设备的体积做得更小，还能降低能量损耗、增加设备在恶劣环境下的可靠性。 ”山西碳化硅生产企业——中国电子科技集团公司（以下简称中电科）技术总监魏汝省介绍道。2021年8月26日 2019年，江苏双良新能源装备有限公司与江苏卓远半导体有限公司就“集成电路级大尺寸高性能单晶硅的生长智能装备技术的开发合作”、“第三代半导体碳化硅晶体批量生产项目的量产化技术合作”签署战略合作协议。此次双良新能源与卓远半导体强强联合生产研发第三代半导体碳化硅材料的上市公司（名单）知乎

碳化硅行业专题分析：第三代半导体之星腾讯网

2023年4月17日碳化硅作为第三代宽禁带半导体材料的代表，在禁带宽度、击穿电场、热导率、电子饱和速率、抗辐射能力等关键参数方面具有显著优势，满足了现代工业对高功率、高电压、高频率的需求，主要被用于制作高速、高频、大功率及发光电子元器件，下游应用 2020年6月10日碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的大量气体及挥发物从中排除，避免发生爆炸，因为合成IT碳化硅，将会生产约14t的一氧化碳 (CO 碳化硅的合成、用途及制品制造工艺