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碳化硅炉子碳化硅炉子碳化硅炉子
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2021-09-21T06:09:55+00:00
调研｜露笑科技布局碳化硅进展：首批50台长晶炉已全部投产
2021年11月17日 其中， 半绝缘片主要应用在射频，国内厂商主要是以山东天岳为主；导电片主要用在功率器件上，正是公司目前主要的研发方向，露笑科技“五顾茅庐”引进了陈之 本设备要求采用感应加热方式，在惰性气体（氩气）环境下将石墨坩埚中的碳化硅粉末升华，沉积到碳化硅单晶仔晶上，即物理气相沉积法（PVT法）生长6″碳化硅单晶。碳化硅晶体生长炉中国科学院沈阳科学仪器股份有限公司
半导体碳化硅（SIC）产业链图谱详解； 知乎
2023年12月5日 东莞南方半导体科技有限公司 品质主管 碳化硅产业链主要由衬底、外延、器件、应用等环节组成。 碳化硅晶片作为半导体衬底材料，根据电阻率不同可分为导电 2022年8月26日 碳化硅就是第三代半导体材料。 由于SiC具有宽禁带宽度，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。 受益于SiC的材料特性，SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。 资料来源：公开 中国碳化硅的2024，是未来也是终局澎湃号湃客澎
碳化硅和半导体级 单晶炉领先者，下游扩产与国产化双加速
2023年5月14日 国内碳化硅衬底扩产积极,碳化硅单晶炉快速放量 14 32 国内碳化硅单晶炉 2023年3月26日 本报记者 彭溢在2000多摄氏度的长晶炉生长室内，一块6英寸碳化硅晶体即将长成，它是新能源汽车动力系统极好的功率芯片材料，也是5G通讯、轨道交通、智能电网等领域炙手可热的关键材料近日， 打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备
国内碳化硅及半导体单晶炉龙头，切入 光伏行业打开成长天花板
2023年12月4日 公司在国产半导体级单晶炉领域处于领先地位,有望在进口替代浪潮中率 先受益 15 3碳化硅行业处于产业爆发前夕,上游设备 021 微端咨询 在线留言碳化硅原料合成炉(100~150kg,电阻式)
新博会 “新”力量｜打破国外技术垄断 月产5000片碳化硅衬底
2023年8月31日 ”张胜涛说。 科友半导体市场销售部崔健介绍，今年4月，科友半导体8英寸碳化硅中试线正式贯通，目前企业每7天即可生长出一块8英寸15～20毫米厚的碳化硅晶 2023年10月19日 3、碳化硅零部件行业概述 碳化硅（SiC）作为重要的高端精密半导体材料，由于具有良好的耐高温、耐腐蚀性、耐磨性、高温力学性、抗氧化性等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。碳化硅材料零部件广泛应用于外延生长、氧化/扩散/退火等设备
中国碳化硅的2024，是未来也是终局澎湃号湃客澎
2022年8月26日 碳化硅衬底还是典型的资本密集型行业，长晶过程需要大量的长晶炉。 碳化硅长的实在是太慢，一个月才能长2cm，一台炉子一年只能长400500片。 当然这还是理想情况下的数据，根据天岳先 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
规模很小，却已是半导体单晶硅炉“老炮儿”；技术开路，抱上
2023年7月21日 目前，下游碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小，主要企业包括三安光电、天岳先进、天科合达等。 （来源：招股书） 公司与三安光电合作较为紧密，占其碳化硅单晶炉采购比例约80%，是三安光电碳化硅单晶炉的主要供应商。5 天之前 碳化硅CVD外延一般采用热壁或温壁式CVD设备，在较高的生长温度条件（1500～1700℃）下保证了外延层4H晶型SiC的延续，热壁或温壁式CVD经过多年的发展，按照进气气流方向与衬底表面的关系，反应室可以分为水平卧式结构反应炉和垂直立式结构 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 艾邦半导体网
碳化硅生产工艺百度文库
碳化硅的合成方法 (一)用二氧化硅和碳（煤)合成碳化硅 (2）生产操作：采用混料机混料，控制水分为2%~3％，混合后料容重为14~1。 6g/cm3。 装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度 (约炉芯到炉底的二分之一）,在其上面铺一层非晶形 2023年9月18日 碳化硅单晶炉：第三代半导体性能优越，碳化硅单晶炉供不应求 第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。 与硅基材料 相比，SiC 禁带宽度是普通硅基的 3 倍，说明 SiC 的价电子被束缚得比较紧，不易 发生跃迁，因而具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射 2023年晶升股份研究报告：碳化硅大幅扩产+份额提升+规模
晶升股份李辉：十年专注半导体长晶设备 碳化硅成新风口上市
2023年4月24日 NaN NaN NaN “在成为半导体级单晶硅炉龙头后，晶升股份又迎来了前景更诱人、更彰显创造力的碳化硅市场。 ”4月24日，半导体晶体生长设备龙头晶升股份登陆科创板。 上市前夕，晶升股份创始人、董事长、总经理李辉在接受上海证券报记者专访时介 2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续23年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 知乎
打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品
2023年3月26日 科友半导体建设的省重点项目第三代半导体产学研聚集区一期工程已投入生产，碳化硅长晶炉、籽晶、衬底等产品受到市场广泛关注，客户纷至沓来。 “我们将借此机会，快速推进产业化进程，在黑龙江形成更加完善的碳化硅产业生态，努力实现碳化硅材料从 2022年8月25日 碳化硅衬底还是典型的资本密集型行业，长晶过程需要大量的长晶炉。 碳化硅长的实在是太慢，一个月才能长2cm，一台炉子一年只能长400500片。 当然这还是理想情况下的数据，根据天岳先 中国碳化硅的2024，是未来也是终局腾讯新闻
中国碳化硅产业链全景图，附30家企业汇总 知乎
2023年5月8日 碳化硅行业企业的业态主要可以分为两种商业模式：类是覆盖较全的产业链环节，同时从事碳化硅衬底、外延及器件的制作，例如科锐公司等；第二类是只从事产业链的单个或者部分环节，例如IIVI公 2021年11月7日 智东西 碳化硅具备耐高压、耐高温、高频、抗辐射等优良电气特性，突破硅基半导体材料物理限制，是第三代半导体核心材料。 碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化镓射频器件和碳化硅功率器件。 受益于 5G 通信、国防军工、新能源汽车和新能源光伏等 揭秘碳化硅，第三代半导体材料核心，应用七大领域，百亿
大尺寸电阻加热式碳化硅晶体生长热场设计与优化 知乎
2022年11月4日 本文对电阻加热式 8 英寸 (1 英寸 = 2 54 cm)碳化硅大尺寸晶体生长系统展开热场设计研究。 首先建立描述碳化硅原料受热分解热质输运及其多孔结构演变、系统热输运的物理和数学模型,进而使用数值模拟方法研究加热器位置、加热器功率和辐射孔径对温度 2023年9月11日 碳化硅大幅扩产+份额提升+规模效应，促业绩高增 [TableSummary]碳化硅长晶炉龙头， 下游3年10倍扩产带来高β。公司主营碳化硅长 晶炉和半导体长晶炉设备，进入三安光电、比亚迪半导体、东尼电子、天岳先进、沪硅产业、立昂微、神工股份等下游龙头[Table Invest]
小议碳化硅的国产化 知乎
2020年10月19日 在碳化硅器件的技术水平上，国内企业相对集中于基础二极管及中低压器件等低端领域，在对器件性能、可靠性要求较高的高端产品市场渗透率相对较低。 高压器件方面的国产化，最近也开始出现一些好消息。 比如： 泰科天润的碳化硅肖特基二极管、碳化 2021年7月12日 2010年，天域与中国科学院半导体研究所合作，共同创建了碳化硅研究所。天域是中国家获得汽车质量认证（IATF16949）的碳化硅半导体材料供应链企业。目前，天域在中国拥有最多的碳化硅外延炉CVD，月产能5000件。哈勃投的第四家碳化硅企业，为什么选择做SiC外延的它？ 知乎
科友半导体董事长赵丽丽：电阻炉八英寸碳化硅制备技术探索
2023年3月15日 当前碳化硅衬底的产能缺口巨大，海外企业扩产引领全球，未来5年内碳化硅衬底仍存在超7倍的产能缺口，海外碳化硅企业已经进入110扩产阶段。2025年全球预计SiC衬底需求量预计超300万片。随着国内下游需求的蓬勃发展，中国亟需提升碳化硅制造能 2023年8月19日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅 单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较 为什么碳化硅要用外延，而不是直接切一片厚的晶圆？ 知乎
揭秘第三代半导体碳化硅，爆发增长的明日之星，国产
2020年9月21日 原标题：揭秘第三代半导体碳化硅，爆发增长的明日之星，国产前途无量 功率半导体的技术和材料创新都致力于提高能量转化效率（理想转化率100% 2023年10月27日 （1）将高纯碳化硅粉料置于单晶炉内的石墨坩埚底部，并将碳化硅籽晶粘结在坩埚盖内部。 （2）通过电磁感应加热或电阻加热的方式令坩埚内的温度升高至2000℃以上，并在坩埚内形成轴向温度梯度，使籽晶处的温度略低于粉料处。碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关
碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus腾讯新闻
2023年7月14日 碳化硅全产业链提速 作为第三代半导体材料，碳化硅相较于硅材料，具有大禁带宽度、高击穿电场、高饱和电子漂移速度、高热导率、高抗辐射等特点，适合制造高温、高压、高频、大功率的器件。 当前从光伏到新能源汽车，碳化硅下游市场需求旺盛，特别 2023年4月24日 国内碳化硅衬底片厂商更需要本土的设备供应商支持。”谈及开展碳化硅单晶炉 研发，李辉介绍，以往在碳化硅领域，头部厂商如科锐都是自己研发 晶升股份李辉：十年专注半导体长晶设备碳化硅成新风口
打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品
2023年3月26日 打造第三代半导体碳化硅材料全产业链 科友 关键装备和产品实现量产,单晶,半导体,产业链,长晶炉,碳化硅材料 本报记者 彭溢 在2000多摄氏度的长晶炉生长室内，一块6英寸碳化硅晶体即将长成，它是新能源汽车动力系统极好的功率芯片材料，也是5G通讯、轨道交通、智能电网等领域炙手可热的关键 2022年2月23日 表3 YDK公司碳化硅性能 图7 艾奇逊炉断面 37 黑碳化硅和绿碳化硅 371 成分特点 碳化硅多数分为黑碳化硅和绿碳化硅。纯碳化硅是无色透明的，由于杂质(Al和N等)固溶而变成黑色和绿色，杂质越多，颜色越黑。图8 黑碳化硅1级和2级的XRD碳化硅的生产方法、性能、种类及行业应用微粉sic碳化硼
碳化硅，第三代半导体时代的中国机会 国家自然科学基金
2021年7月21日 碳化硅又称碳硅石，是在大自然中也存在的罕见矿物，工业上以石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。 山西烁科晶体有限公司（以下简称山西烁科）生产部经理、高级工程师毛开礼介绍，碳化硅有非常独特的性能优势。2023年4月25日 南京晶升装备股份有限公 司（后简称为公司）前身为晶升有限（成立于2012年1月），主要业务包括“半导 体级单晶硅炉”、“碳化硅单晶炉”和“蓝宝石单晶炉”三大领域。 公司发展历程可以分为三个阶段：（1）20122015年：公司主要产品为蓝宝石单晶 晶升股份研究报告：长晶设备本土龙头，SiC业务打开成长空间
碳化硅晶圆产业链的核心“外延”技术的详解； 知乎
2023年10月27日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工周期比较长，产出比较低，因而碳化硅衬底的成本是非常高的。2023年1月2日 碳化硅是由美国人艾奇逊在 1891 年电熔金刚石实验时，在实验室偶然发现的一种碳化物，当时误认为是金刚石的混合体，故取名金刚砂。研究出来了工业冶炼碳化硅的方法，也就是艾奇逊炉，一直沿用至今。最早商业化碳化硅产品的是美国的 CREE 公司。碳化硅 SiC 知乎
碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
2022年3月22日 协 议期限为两年，将为国宏中宇主导的碳化硅产业化项目定制约 200 台碳化硅长晶炉， 设备总采购金额约 3 亿元。2020 年 8 月 10 日，公司公告《关于 2021年11月17日 黑碳化硅炉内的无定形物通常为黑色，绿碳化硅炉内的无定形物多为黄绿色，外部为黑色，内部为灰黄绿色。 无定形物层一般均匀。 使用的原料二氧化硅粒子过粗，焦炭中的固定碳过低时，无定形物层有 黑碳化硅和绿碳化硅的工艺和区别 知乎
碳化硅和半导体级 单晶炉领先者，下游扩产与国产化双加速
2023年5月14日 国内碳化硅和半导体级单晶炉领先者绑定大客户实现快速成长 公司目前已经形成了812英寸28nm挕程以上半导体级单晶硅炉、6英寸碳化硅 单晶炉量产销售开拓了上海新 昇、金瑞泓、神工股份、三安光电、东尼电掀、合晶科技及海思半导体等头部客户。2022年8月26日 碳化硅衬底还是典型的资本密集型行业，长晶过程需要大量的长晶炉。 碳化硅长的实在是太慢，一个月才能长2cm，一台炉子一年只能长400500片。 当然这还是理想情况下的数据，根据天岳先 中国碳化硅的2024，是未来也是终局 澎湃新闻
SiC晶体生长进入电阻炉时代！ 知乎
2022年6月18日 2022年6月，恒普科技推出新一代20版SiC电阻晶体生长炉，本次量产推出的炉型是基于恒普上一代6、8英寸电阻炉的全新版本，积极对应市场对SiC电阻晶体生长炉的行业需求。 Source：恒普科技 据了解，国内SiC晶体生长炉基本都是采用感应发热的方 2023年7月6日 一、碳化硅优异的物理性质 碳化硅器件在设计、制造、测试等方面的重点难点与硅器件存在着较大区别。11碳化硅禁带宽度是硅的3倍 碳化硅禁带宽度比硅更大，因此本征载流子浓度更低，进而可以承受更高的工作结温，这保证了碳化硅器件在高温条件下的工作稳定性，从而可以减少高温造成的器件 技术与商业双轮驱动，全面解析碳化硅产业链新机遇石墨拉晶
中国未来3年碳化硅长晶炉市场增量近90亿 百家号
2023年9月13日 供给端，碳化硅单晶炉国产化较充分，北方华创及晶升股份约占国内46吋碳化硅厂商采购份额约 75%。丰港化学 8 吋电阻加热PVT、及LPE （液相法）单晶炉具有技术领先优势，目前已交付多家大厂，同时还可提供客户工艺包，缩短客户8吋碳化硅衬底工艺研发时间，未来有望深度受益碳化硅高增长。2022年3月2日 业务涵盖碳 化硅单晶炉、碳化硅单晶生长原料和碳化硅单晶衬底。 公司先后牵头起草或参与起草多项现行国家标准和行业标准。 建立了国内条碳 化硅晶片中试生产线，是国内最早实现碳化硅晶片产业化的企业，在国内率先成功 研制出 6 英寸碳化硅晶片，2020 年 1 月启动 8 英寸产品研发工作。碳化硅衬底设备行业深度报告：新能源需求兴起，国产替代有
碳化硅悬臂桨西安中威（ZHWE）烧结
2021年2月1日 碳化硅悬臂桨西安中威（ZHWE） 碳化硅桨，又称碳化硅悬臂桨、碳化硅悬臂梁是一种经过1850℃高温烧结而成的碳化硅陶瓷制品， 然而高温烧结碳化硅陶瓷是一种特殊陶瓷制品，由细颗粒αSiC和添加剂压制成素坯，在高温下与液态硅接触，坯体中的碳与 2023年9月14日 坚硬的碳化硅是如何从柔软的熔融液中长出的？ 碳化硅研习社 液相法（Liquid Phase Epitaxy，简称LPE） ，一种常用的半导体材料生长技术。 目前最新的研究进展是生长了高质量、低成本6英寸SiC，SiC长晶速度提高了5倍左右，消除了表面缺陷和基平面位错，无缺陷 坚硬的碳化硅是如何从柔软的熔融液中长出的？ 知乎
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎
2020年12月2日 碳化硅外延片，是指在碳化硅衬底上生长了一层有一定要求的、与衬底晶相同的单晶薄膜（外延层）的碳化硅片。 实际应用中，宽禁带半导体器件几乎都做在外延层上，碳化硅晶片本身只作为衬底，包括GaN外延层的衬底。 我国SiC外延材料研发工作开发于“ 2023年10月19日 3、碳化硅零部件行业概述 碳化硅（SiC）作为重要的高端精密半导体材料，由于具有良好的耐高温、耐腐蚀性、耐磨性、高温力学性、抗氧化性等特性，在半导体、核能、国防及空间技术等高科技领域具有广阔的应用前景。碳化硅材料零部件广泛应用于外延生长、氧化/扩散/退火等设备
中国碳化硅的2024，是未来也是终局澎湃号湃客澎
2022年8月26日 碳化硅衬底还是典型的资本密集型行业，长晶过程需要大量的长晶炉。 碳化硅长的实在是太慢，一个月才能长2cm，一台炉子一年只能长400500片。 当然这还是理想情况下的数据，根据天岳先 2021年6月11日 1 碳化硅的制备方法 碳化硅产业链主要包含粉体、 单晶材料、 外延材料、 芯片制备、 功率器件、 模块封装和应用等环节。 SiC 粉体：将高纯硅粉和高纯碳粉按一定配比混合， 于2,000 ℃以上的高温下反应合成碳化硅颗粒， 再经过破碎、 清洗等加工工序， 获得可以满足晶体生长要求的高纯度碳化硅 第三代半导体材料碳化硅(SiC)研究进展 知乎
规模很小，却已是半导体单晶硅炉“老炮儿”；技术开路，抱上
2023年7月21日 目前，下游碳化硅衬底市场以海外厂商为主导，国内企业市场份额较小，主要企业包括三安光电、天岳先进、天科合达等。 （来源：招股书） 公司与三安光电合作较为紧密，占其碳化硅单晶炉采购比例约80%，是三安光电碳化硅单晶炉的主要供应商。5 天之前 碳化硅CVD外延一般采用热壁或温壁式CVD设备，在较高的生长温度条件（1500～1700℃）下保证了外延层4H晶型SiC的延续，热壁或温壁式CVD经过多年的发展，按照进气气流方向与衬底表面的关系，反应室可以分为水平卧式结构反应炉和垂直立式结构 碳化硅外延生长炉的不同技术路线 艾邦半导体网
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碳化硅的合成方法 (一)用二氧化硅和碳（煤)合成碳化硅 (2）生产操作：采用混料机混料，控制水分为2%~3％，混合后料容重为14~1。 6g/cm3。 装料顺序是在炉底先铺上一层未反应料，然后添加新配料到一定高度 (约炉芯到炉底的二分之一）,在其上面铺一层非晶形 2023年9月18日 碳化硅单晶炉：第三代半导体性能优越，碳化硅单晶炉供不应求 第三代半导体材料是指以碳化硅、氮化镓为代表的宽禁带半导体材料。 与硅基材料 相比，SiC 禁带宽度是普通硅基的 3 倍，说明 SiC 的价电子被束缚得比较紧，不易 发生跃迁，因而具有击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射 2023年晶升股份研究报告：碳化硅大幅扩产+份额提升+规模
晶升股份李辉：十年专注半导体长晶设备 碳化硅成新风口上市
2023年4月24日 NaN NaN NaN “在成为半导体级单晶硅炉龙头后，晶升股份又迎来了前景更诱人、更彰显创造力的碳化硅市场。 ”4月24日，半导体晶体生长设备龙头晶升股份登陆科创板。 上市前夕，晶升股份创始人、董事长、总经理李辉在接受上海证券报记者专访时介 2023年11月12日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续23年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展 2025市场达200亿，碳化硅关键设备企业迎历史机遇 知乎
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